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產(chǎn)品定位：專為高可靠性場景設(shè)計的國產(chǎn)SIC MOS

SCDP120R040NB2P4B N溝道增強(qiáng)型高壓功率 MOSFET采用士蘭微電子碳化硅技術(shù)制造，具有很低的傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗，使得功率轉(zhuǎn)換器具有高效，高功率密度，提高熱行為。

五大核心競爭優(yōu)勢

1?? 60A，1200V，Rds(on(typ)=40mR@VGs=18V

2?? 碳化硅技術(shù),降低散熱要求

3?? 開關(guān)損耗低,低反向恢復(fù)電荷

4?? 100%雪崩測試

5?? 無鉛管腳鍍層,符合 ROHS 環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)

典型應(yīng)用場景

• 新能源汽車
  電機(jī)控制器、OBC車載充電機(jī)、DC-DC轉(zhuǎn)換模塊

• 工業(yè)自動化
  變頻器、伺服驅(qū)動器、電焊機(jī)逆變電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器

• 清潔能源
  光伏逆變器、儲能變流器(PCS)、風(fēng)電變槳系統(tǒng)

• 智能家電
  變頻空調(diào)壓縮機(jī)驅(qū)動、大功率電磁爐主控

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