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FDS4435BZ的高清照片

FDS4435BZ
FDS4435BZ是FAIRCHILD的一款MOS管|IGBT|模塊,我司不但為您提供可靠的全新原裝FDS4435BZ,還可提供FDS4435BZ應(yīng)用資料、免費(fèi)樣品及產(chǎn)品研發(fā)技術(shù)支持!詳情可致電垂詢.
元件型號(hào):FDS4435BZ
元件品牌:FAIRCHILD
全新原裝正品保障,質(zhì)量是企業(yè)的生命!
采購(gòu)數(shù)量:
 

產(chǎn)品介紹

The FDS4435BZ is a 20 mOhm and 30 V P-channel powertrench MOSFET. It is available in surface mount SOIC-8 package.

FDS4435BZ This P-Channel MOSFET is produced using semiconductor’s advanced PowerTrench® process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance. This device is well suited for Power Management and load switching applications common in Notebook Computers and Portable Battery Packs.

FDS4435BZ Features:
•Max rDS(on) = 20mΩ at VGS = –10V, ID = –8.8A
•Max rDS(on) = 35mΩ at VGS = –4.5V, ID = –6.7A
•Extended VGSS range (–25V) for battery applications
•HBM ESD protection level of ±3.8KV typical
•High performance trench technology for extremely low rDS(on)
•High power and current handling capability
•Termination is Lead–free and RoHS compliant


FDS4435BZ屬性:
Fet Type: P-Ch
Drain-to-Source Voltage: [Vdss] 30V
Drain-Source On Resistance-Max: 20mΩ
Rated Power Dissipation: 2.5|W
Qg Gate Charge: 28nC

聯(lián)系方式

總 機(jī):0512-50710709
手 機(jī):15950933050
微信:15950933050
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