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IRF9530NPBF 屬性
Attributes Table
Fet Type P-Ch
No of Channels 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss] 100V
Drain-Source On Resistance-Max 0.2Ω
Rated Power Dissipation 79W
Qg Gate Charge 58nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss] 20V
Drain Current 14A
Turn-on Delay Time 15ns
Turn-off Delay Time 45ns
Rise Time 58ns
Fall Time 46ns
Operating Temp Range -55°C to +175°C
Gate Source Threshold 4V
Technology Si
Height - Max 8.77mm
Length 10.54mm
Input Capacitance 760pF

IRF9530NPBF特性和應(yīng)用:
國(guó)際整流器公司的第五代HEXFET采用高級(jí)工藝技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了極低的單位硅片面積導(dǎo)通電阻。它的這個(gè)優(yōu)點(diǎn)加上HEXFET功率MOSFET眾所周知的快速開關(guān)速度和堅(jiān)固耐用的器件設(shè)計(jì)，為設(shè)計(jì)人員提供了非常高效和可靠的器件，適用于各種應(yīng)用。

TO-220封裝通常是功耗值約為50 W的所有商業(yè)、工業(yè)應(yīng)用的首選。TO-220的低熱阻和低封裝成本使其受到了整個(gè)行業(yè)的廣泛認(rèn)可。

IRF9530NPBF特性:

先進(jìn)的工藝技術(shù)
動(dòng)態(tài)dv/dt額定值
175 °C的工作溫度
快速開關(guān)
P溝道
通過(guò)了完全雪崩測(cè)試
無(wú)鉛

IRF9530NPBF是單P溝道MOSFET。它采用TO-220AB封裝，管裝發(fā)貨。