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SVS11N65FJD2是士蘭微的一款11A 650V 超潔場(chǎng)效應(yīng)管,東森微電子是士蘭微代理商,常備SVS11N65FJD2庫(kù)存,并可提供相應(yīng)技術(shù)支持對(duì)接.歡迎采購(gòu).

11A, 650V DP MOS功率管描述:
SVS11N65FJD2是N溝道增強(qiáng)型高壓功率MOSFET采用士蘭微電子DPMOS技術(shù)制造，具有很低的傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗。使得功率轉(zhuǎn)換器具有高效，高功率密度等特性，提高熱行為。
此外，SVS11N65FJD2 應(yīng)用廣泛。如，適用于硬/軟開關(guān)拓?fù)洹?/p>

SVS11N65FJD2特點(diǎn):
*11A,650V, Ros(on(典型伯)=0.332@Vcs=10V

*創(chuàng)新高壓技術(shù)

*低柵極電荷

*定期額定雪崩

*較強(qiáng)dv/dt能力

*高電流峰值

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